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Toptica的Terascan频域太赫兹平台有助于描述下一代太赫兹探测器

发布时间: 2020-05-10 10:47:25   作者:本站编辑   来源: 本站原创   浏览次数:

        所谓的“畸胎”-具有集成天线的场效应晶体管,用于太赫兹检测-是紧凑型、基于芯片的宽带太赫兹辐射接收机的有希望的候选。法兰克福大学、费迪南德-布劳恩研究所(德国)和维尔纽斯大学(立陶宛)的一组研究人员成功地利用氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管(HEMTs)显著改善了太赫兹场效应晶体管(TeraFETs)的性能。新器件的灵敏度比以前的GaN太赫兹探测器高出两倍以上。

图. 用于太赫兹辐射探测的具有集成天线的场效应晶体管(TeraFETs)

      研究人员使用来自Toptica光子(德国慕尼黑)的Terascan1550频域太赫兹平台作为一种精确可调谐的太赫兹源来表征新的HEMT探测器在宽频率范围内的特性。TeraScan1550将分布式反馈(DFB)二极管激光器与砷化镓(GaAs)或砷化镓(InGaAs)光混合器结合起来,产生具有所需性能的太赫兹辐射。

      研究人员展示了GaN TeraFETs在高动态范围反射成像中的应用,展示中使用Schwarzschild光学系统来记录透过商用手机的塑料盖的频率为0.504THz图像,其频谱动态范围大于40db。据报道,该团队正在努力使用相同的AlGaN/GaN TeraFETs创建一个宽带12×12像素焦平面阵列。

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