ASML和IMEC建立新的高数值孔径光学实验室

　　比利时电子研究中心IMEC和光刻设备巨头ASML达成新的共识，他们将联合组建一个联合实验室，合作研发高数值孔径（NA）的EUV工艺技术，以加速用于图案化半导体芯片的下一代极紫外（EUV）光学器件的开发。 

　　该实验室作为两个已经运行了三十年的更广泛合作的一部分，高数值孔径（高NA）EUV将旨在缩小设备功能，甚至超过当前初始生成的EUV设备所能实现的功能。 

　　超过3纳米

　　目前少数芯片公司投产的EUV设备，其数值孔径NA 为0.33，虽然这一数值孔径的EUV系统满足未来几年行业需求，但人们认为高NA光学器件需要超出所谓的“3 nm节点”。计划是将NA提高到0.55，如果一切按计划进行，下一代EUV光刻设备应该准备好在2022年底开始试运行，并在几年后进行全面生产。 

　　IMEC在一个版本中宣布：“在这个实验室中，来自两个组织的研究人员将在更高的NA下试验下一代EUV光刻技术。具有更高NA的系统将EUV光投射到更大角度的晶圆上，提高分辨率，并能够打印更小的特征。 

　　一款新的高数值孔径 EUV系统，称为“EXE：5000”，将安装在联合研究实验室进行初步项目运行。 

　　研发支出

　　就在上周，ASML的执行团队在一次投资者电话会议上表示，该公司的研发支出将随着高NA发展和明年发布的“NXE：3400C”而大幅增加，NXE：3400C基于目前的设计但具有更高的光源功率。 

　　首席执行官Peter Wennink在电话会议上说：“我认为你将看到的是，未来十年中期，高NA将会引入高产量制造业。然后你会看到我们的'低NA'层和'高NA层'的使用非常清晰。它们将彼此相邻使用。“ 

　　Wennink解释说，预计未来技术不会蚕食当前大部分“低NA”EUV生产能力，而是解决额外的关键模式层问题。 

　　预计该公司在相关研究方面的支出增加将在未来两三年内达到峰值，首批高NA工具将于2022年出货。 

　　IMEC首席执行官Luc Van den hove对计划表示：“新的EUV扫描仪和ASML计量设备将使我们的行业合作伙伴能够就最先进的行业相关光刻和计量设备进行合作研究。” 

　　光学部分

　　光学公司Carl Zeiss是EUV发展的另一个主要参与者，ASML已向德国公司的半导体技术部门投入了10亿欧元，作为旨在确保成功结果的计划的一部分。 

　　当涉及高NA投射光时，EUV所需的已经很复杂的反射光学器件会变得更加复杂。可以使用不同的形状来实现0.55 NA，例如“极端”非球面或类似于可见光谱中用于电影摄影的变形设计 - 但这种复杂性意味着当前的EUV工具不能改装高NA设计。 

　　ASML的首席技术官Martin van den Brink在IMEC发布会上表示：“使用最先进的半导体光刻工具对于探索和确定未来几代半导体器件和应用的路径至关重要。 

　　“IMEC的研究人员和客户可以确保在未来许多年内采用最先进的整体光刻技术。全球半导体行业以及消费者和企业将受益于IMEC未来十年的工作成果，从而不断提高微芯片的成本和性能。“