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SPIE先进光刻技术大会强调EUV光刻技术进展

发布时间: 2017-04-10 08:56:47   作者:本站编辑   来源: SPIE   浏览次数:

  2017年2月26日,SPIE先进光刻技术大会在美国圣何塞举办,会议要点包括:ASML的新型极紫外(EUV)光刻设备、Intel发布的八个即将开展的EUV光刻项目、IMEC关于EUV光刻大规模生产系统的首个全方位解决方案等。 

  来自ASML、Intel、KLA-Tencor、JSR Corp、IMEC、Samsung和其它组织的报告人着重介绍了亚10 nm节点光刻的计算机芯片制造的研究进展,并对采用13.5 nm波长的EUV光作为光源的下一代光刻设备何时、何地、以何种方式(以及是否真能实现)进行大规模、大批量生产进行了热烈讨论。报告记录可以查阅SPIE.org的SPIE新闻中心。 

  ASML产品系统工程师Mark van de Kerkhof介绍了ASML的NXE:3400B型EUV光刻机,该设备可以实现亚10 nm节点的光刻——也是ASML第一台可以实现每小时125片晶片产能的光刻机,满足生产线的生产需求。 

  Intel技术与生产部的副主席Frank Abboud提到,随着特征尺寸越来越小,掩模生产者需要随着EUV光源和其它光刻手段的进步而不断改进他们的技术。“掩模生产中的所有环节基本都有涉及,”他说道,“包括空白制备、基准标记印刷、器件刻写、黑边刻写以及检测/表征。” 

  KLA-Tencor的首席技术官、副执行官Ben Tsai做了关于重新投资缺陷检测研发的报告。他表示,对于一块高端的图形处理器(GPU)的检测,可能涉及到上千个测量步骤,每一步都要求极高的精度。在这样的过程模型下,假设每一步的准确率为99.5%,那么最终制造出来的器件仅有不到1%可以正常工作,这体现了投资缺陷检测技术的重要性。 

  JSR公司的首席执行官Nobu Koshiba从下一代计算技术如人工智能(AI)的驱动力及其对计算能力需求的角度进行分析,指出未来信息爆炸趋势的延续,2020年的信息量将是2015年信息量的7倍。这种增长将刺激AI技术前进,正如自动驾驶、精准医疗、基因科学和认知计算等。 

  在一份演示文稿中,IMEC先进测量方向的负责人Philippe Leray介绍了第一套用于大规模EUV光刻生产的全方位解决方案。该方案作为功率、性能、范围、开销等的基本指导,包括设计规则、掩模、光刻胶、刻蚀和计量学以及一种宽范围的变量评估,Leray说道。 

  常哲编译自:http://www.prweb.com/releases/2017/03/prweb14173970.htm 

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