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ASML确定利弗莫尔国家实验室合作开发极紫外光源

发布时间: 2016-11-10 09:51:53   作者:本站编辑   来源: 本站原创   浏览次数:

  美国劳伦斯利弗莫尔国家实验室 (LLNL) 和荷兰ASML公司为下一代半导体制造推动极紫外 (EUV) 光源发展成功地建立了等离子体模拟能力。根据合作研究和开发协议 (CRADA),ASML 将借用 LLNL在激光和等离子体物理学方面的专业知识,以及使用高性能计算 (HPC)执行复杂、大规模的建模与仿真的能力。这些联合资源能够高效和经济地测试针对进一步优化转换效率、 增加源动力和最小化锡碎片的新方法。 

  LLNL的计算物理学家和项目主管史蒂夫 · 兰格说,“通过合并专业知识,我们证明了 LLNL 开发的计算机代码可以准确地模拟 ASML 的EUV 光源的实验数据。现在,模拟结果和实验数据一致,我们可以更好地了解 EUV 产生的物理学知识,并开始深入了解光源的性能。” 

  ASML 圣地亚哥研发和制造工厂专门生产微光刻扫描仪使用的光源。ASML 的复杂系统将图案成像在硅晶片表面,逐层建立数十亿个晶体管和电路元件,为半导体工业制造集成电路或微芯片。下一代 EUV 技术将使芯片制造商增加晶体管的数量,并显著提高超级计算机和电子产品性能。 

  高强度二氧化碳激光脉冲撞击液滴锡并加热,随后成为等离子体 (电离气体) 产生极紫外光。等离子发射极紫外辐射,然后收集这些辐射并转移到微光刻扫描仪上,在那里成功曝光硅晶片。为了提高极紫外光刻电源功率,ASML 研究人员开始运用高保真电脑模拟,以更好地了解激光产生的等离子体的物理特性并填补空白的具有挑战性的实验室试验。 

  ASML 高级科学家迈克尔 · 维斯说:“我们期望与 LLNL 的研究合作能够帮助我们快速挖掘最有前途的技术发展途径,从而缩短未来大功率 EUV 光源的上市时间。我们已经通过联合建模扩展了我们对锡等离子体的了解,这些工作有望帮助推进 EUV 光源的大批量制造环境的发展。” 

  为了成功地建立一个准确、有预言性的仿真模拟,ASML 公司计划与 LLNL 的高性能计算创新中心 (HPCIC) 、国家点火设施 (NIF) 和光子科学局先进光子技术 (APT) 合作,以获得世界级的超级计算机、软件和更深层领域的知识,以及先进的计算技术应用经验。利弗莫尔在高性能计算方面的能力以及NIF激光驱动聚变实验中对高能量密度物理的熟悉都直接适用于 ASML 在先进 EUV 光刻技术开发研究中遇到的技术难题。 

  NIF 光子科学高级光子技术项目的商业技术开发领导者Craig Siders说:“这是一个很好的例子,说明贯穿在LLNL的专业知识和能力能够跨越 LLNL成功地将领先的行业专家聚集在一起集中精力推进光源发展”。 

  HPCIC 主任弗雷德斯特赖茨补充说:“ASML公司与我们的合作仅仅是领先公司如何与LLNL世界一流的 HPC 资源合作的一个例子,推进广泛受益于计算机行业以及帮助维持美国在科学和技术领域的领导地位。” 

  美国劳伦斯伯克利国家实验室的国家能源研究科学计算中心的计算机科学家将利用他们在激光等离子体建模软件开发方面的专业知识来支持 LLNL-ASML CRADA 的发展。 

  若凡编译自:https://www.llnl.gov/news/asml-taps-lawrence-livermore-develop-extreme-euv-chip-manufacturing 

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