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IMEC宣布定向自组装工艺支撑193nm和EUV光刻

发布时间: 2012-02-28 09:51:23   作者:本站编辑   来源: fabtech   浏览次数:

  EUV光刻技术的常年推动以及193nm液浸技术的持续依赖为补充两种技术的内在挑战开辟了道路,不仅是电子束光刻受到关注,欧洲研究机构IMEC相信定向自组装(directed self-assemblyDSA)工艺不仅具有处理小型特征构造的潜力还能够降低成本,不断降低产品特征尺寸。日前IMEC公布了定向自组装DSA工艺,据称能改善光学与超紫外光光刻技术,并已在IMEC试点晶圆厂中安装了300mm相容的生产线。并于201221216日于美国加州举办的SPIE先进光刻大会中,公布如何成功实现DSA技术的细节。

  DSA是运用材料内部的自然机制来产生有序结构。在这些材料内部的自然机制中,如在高分子材料中形成的条纹状结构,可透过改变化学成份来适当地调整,使其实现纳米级功能,进而能被用来强化光学和超紫外光(EUV)光刻。

  IMEC是通过和美国威斯康辛大学(University of Wisconsin)AZ Electronic MaterialsTokyo Electron Ltd.公司合作,完成了从实验室到相容于晶圆厂流程的DSA工艺。此一合作的主要目的,是要让DSA达到可量产的目标。

  DSA是图形技术的替代选项之一,它可藉由使用嵌段共聚物(block copolymer)来实现倍频。当以适当的预图形模式连结时,便可直接指示图案方向,整体而言,DSA有助于减少最终印刷结构的间距。此外,DSA也能用于修复缺陷和修复原有印刷使其更加均匀。

  在结合EUV光刻技术后,这种修复功能便显得更加有用处,因为它能在关键尺寸(critical dimensions)中由局部变异(local variation)加以表征。

   

  4 显示以80nm间距预图形为基础,运用193nm浸入式光刻技术,在移除PMMA后,透过DSA28nm间距上形成的14nm聚苯乙烯线(polystyrene lines),并同时展示了在预图形()修复200nm间隙的能力

  IMEC目使用一部来自Tokyo ElectronDSA涂布/显影机,以及用于无尘室内,为芯片制造商提供的DSA材料和图案转移与计量系统。该无尘室内部还设置了248nm193nm的干式和浸入式光学波长扫描器,以及EUV光刻设备。  

  “此次发布的DSA工艺,让我们得以再次向193nm浸入式光刻技术的极限推进,并克服了部份EUV光刻技术的关键问题。同时,这也让我们能够再次挑战摩尔定律的极限,”IMEC光刻总监Kurt Ronse在一份声明中表示。  

  而在同一份声明中,威斯康辛大学教授Paul Nealey指出,“Juan de Pablo和我,以及威斯康辛大学的团队都很高兴有机会与和IMEC合作。我们的合作展现了前所未有的成果,成功整合了DSA技术和相关的制造工具以及材料,让大家知道DSA不仅限于学术研究,它还具备极大应用潜力,同时也为我们的学生提供了更多学习机会。我们很高兴能与IMEC合作,推动这个我们已经投入15年时间进行研究的技术迈向商业化。” 

  这项研究是IMEC先进光刻计划的一部份,现已能提供给该机构的核心CMOS合作伙伴,包括Globalfoundries、英特尔、美光、松下、三星、台积电、尔必达(Elpida)Hynix、富士通(Fujitsu)和索尼。 

  海燕摘编自:http://www.fabtech.org/news/_a/imec_touts_directed_self-assembly_process_to_ 

  support_193nm_and_euv_lithogra/ 

 

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